集成电路考研，电子科技大学成功上岸经验分享！

今天分享一个电子科技大学学生成功上岸的学长考研故事，该学长总分411，专业课832微电子器件是140分，专业课是23年最高分。芯学长为大家详细介绍一下。

一、报考电子科技大学的原因

1.学科评估：电子科学与技术A+(23年独立为集成电路专业)

2.考研专业课只有一门微电子器件，相对简单。

3.压分/歧视：初试基本没有，复试可能有一些但不太多，主要在面试方面，只要相应知识掌握熟练或者复习得当问题都不算太大，本校的优势在于当面试问题回答不上来的时候，有些面试老师会倾向于给本校的学生分数高一些。

二、考试题型(2023年)

1.题型及分值：不定项选择(约50分，20题左右)，简答题(约50分，6题左右)，计算题(约50分，3题左右)。

2.考试题目分值大，题量较少，因此分数区分度较大。不太需要考虑做题速度，细心是关键。

3.会有2题左右非常规题，一般是简答题。

三、使用资料

1.教材：

(1)《微电子器件》陈星弼第四版(最重要)(内容量较少，难度较低，但内容较繁杂，甚至有较多需要背诵的文字与公式，容易学到后面忘记前面)

(2)《半导体物理学》刘恩科第七版(辅助)

2.辅导资料：

红果研832初试资料

题目重要性：课后题=近年真题>早年真题>期末题/模拟题

注意：总结可以大幅提升学习效果，尤其对《微电子器件》这门课有奇效。

3.网课：

(1)电子科技大学微电子器件;

(2)蒋玉龙半导体器件原理及重公式推导;

(3)香港科技大学的半导体器件原理;

(4)832微电子器件全程班(电子科大直系上岸学长讲，质量很不错)

4.资料使用建议：

(1)教材：关于半导体物理的内容，范围就是《微电子器件》第一章涉及的范围，主要掌握几个基本公式---泊松方程，输运方程，连续性方程。这些公式在第二章开始的内建电势的推倒中会用到，试卷对于半导体物理的内容考察并不深。

(2)红果研资料：包括考点梳理、题库和真题。

(3)视频：

零基础的推荐看电子科技大学微电子器件的视频，主要是念PPT，可以帮助你初步了解微电子器件，或者选择报832微电子全程班，应试课程区别于网课，还是比较有价值的;

有一定基础的推荐看复旦大学蒋玉龙半导体器件原理，蒋玉龙的课程重公式推导;

还有香港科技大学的半导体器件原理，课程中对载流子运动进行了建模，有利于理解比较抽象的载流子运动。

四、复习时间安排

每个人的复习进度都不同，建议跨考或者基础差的人早点开始复习，灵活调整时间，及时总结规划。

暑假期间(7-8月)

看网课和看书，以看书为主，书上给出的范围最为精确，我们试卷是围绕书来出的，所以书本暑假至少要过一遍。

9月份

做一些课后题和早年真题，题目的资源还是比较宝贵的，做题不要仓促，要吃透题目，做好笔记。

10月份

真题模拟，微电子器件的考试时间比较充裕，一般不会存在做不完的现象，所以做真题不用太赶时间，同时对于真题中概念性的知识点反复记忆。

11月份

回归概念，适当模拟，模拟题不是必须要做，把握课本内容更重要。重新做课后题，不要看着答案做，要有自己的思路。

12月份

重做真题，多看笔记，多看书，考研微电子器件看三四遍很正常。

复习建议：暑假期间以专业课和数学为复习重点(学长在暑期给数学和专业课的时间一样多)，开学后专业课的时间逐渐分一些时间给英语和政治。

虽然大家基础存在差异，但是在暑假结束前至少要做到专业课书本上的内容都过一遍，看到填空题，问答题可以知道对应书本的位置。

五、复习技巧

(1)看书，以书本为主。第一遍通读，结合网课建立初步印象;第二遍细读，关注考点;在后期看书的过程中不断精读，不断巩固。

(2)习题的重要性排序：近年真题≈课后习题>早年真题不超纲部分>模拟题。

近年真题的重要性无需多言(特指13年以后的题目)，每年都有一定的创新，每套题目都应该反复做，多总结。

课后习题只做资料里划的题目就可以(红果研832初试资料里有课后题参考答案)，而且做真题的时候可以发现，一些真题都是直接从课后习题进行改编的，所以课后习题的答案和题目的质量都很高。

早年真题也很好，但问题是有超纲的部分，建议酌情做，半导体物理的部分可以跳过。

(3)一定要吃透真题!真题的填空选择相关的知识点要背诵，计算题要先学会建立思路，然后反复训练。

六、考纲解读

半导体器件基本方程

半导体器件基本方程的物理意义(理解)

一维形式的半导体器件基本方程(填空选择问答)

基本方程的主要简化形式(记忆)

PN 结

突变结与线性缓变结的定义(了解)

PN 结空间电荷区的形成(重点，要求能复述)

耗尽近似与中性近似(问答)

耗尽区宽度、内建电场与内建电势的计算(计算)

正向及反向电压下 PN 结中的载流子运动情况(重点，不直接考察)

PN 结的能带图(理解，不直接考察，在BJT重点)

PN 结的少子分布图(会作图)

PN 结的直流伏安特性(分五个区记忆)

PN 结反向饱和电流的计算及影响因素(问答计算)

薄基区二极管的特点(问答)

大注入效应(问答)

PN 结雪崩击穿的机理、雪崩击穿电压的计算及影响因素、齐纳击穿的机理及特点、热击穿的机理(重点注意比较记忆)

PN 结势垒电容与扩散电容的定义、计算与特点(重点注意比较记忆)

PN 结的交流小信号参数与等效电路(次重点，记忆即可)

PN 结的开关特性与少子存储效应(问答，计算涉及少)

双极型晶体管

双极型晶体管在四种工作状态下的少子分布图与能带图 (重点，会画包括缓变基区的)

基区输运系数与发射结注入效率的定义及计算(重点理解，计算)

共基极与共发射极直流电流放大系数的定义及计算(计算)

基区渡越时间的概念及计算(理解，计算)

缓变基区晶体管的结构与电学特性(理解，会考计算)

小电流时电流放大系数的下降(问答)

发射区重掺杂效应(问答)

晶体管的直流电流电压方程、晶体管的直流输出特性曲线图(会画)

基区宽度调变效应(选填，问答)

晶体管各种反向电流的定义与测量方法(记忆)

晶体管各种击穿电压的定义与测量方法、基区穿通效应(问答的重点)

方块电阻的概念及计算(记忆)

晶体管的小信号参数(记忆)

晶体管的电流放大系数与频率的关系、组成晶体管信号延迟时间的四个主要时间常数、高频晶体管特征频率的定义、计算与测量、影响特征频率的主要因素(参数很多，注意掌握原理对比记忆，小信号部分要求较低。)

高频晶体管最大功率增益与最高振荡频率的定义与计算，影响功率增益(记忆)

绝缘栅场效应晶体管(MOSFET)

MOSFET 的类型与基本结构(基础，理解)

MOSFET 的工作原理(结合输出和转移特性曲线)

MOSFET 阈电压的定义、计算与测量、影响阈电压的各种因素、阈电压的衬底偏置效应(计算问答重点，参数较多，注意区分nmos、pmos)

MOSFET 在非饱和区和饱和区的直流电流电压方程(记忆计算)

MOSFET 的饱和漏源电压与饱和漏极电流的定义与计算(记忆，计算)

MOSFET 的直流输出特性曲线和转移特性曲线图(会画图)

MOSFET 的有效沟道长度调制效应(填空问答)

MOSFET 的直流参数及其温度特性(填空问答)

MOSFET 的各种击穿电压(填空问答计算)

MOSFET 的小信号参数(记忆)

MOSFET 跨导的定义与计算、影响跨导的各种因素(画图 问答 计算)

MOSFET 的高频等效电路及其频率特性(画等效电路，理解)

MOSFET 的主要寄生参数(记忆)

MOSFET 的最高工作频率和最高振荡频率的定义、影响最高工作频率的主要因素(理解，问答)

MOSFET 的短沟道效应以及克服短沟道效应的措施(理解，问答，选填)

MOSFET 的恒场等比例缩小法 对比记忆(问答，选填)

最后，列一下我在考研期间的作息时间表供大家参考：

最后的一点小建议：备考期间一定要保证每天睡眠时间在7-9小时，一日三餐按时吃饭，不要互相攀比复习进度，专注眼前，但是也建议大家和身边研友或者考研群大佬互相交流做题方法，有利于取长补短，拓展思维。

祝大家一战成硕!

内容来源：余哥成电考研

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