上海微电子28nm浸没式光刻机研发取得重大突破！

　　据报道，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。芯学长给大家详细解读。

　　光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术，包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件，极为复杂精密。

　　事实上，光刻机是一个泛概念，包括三种不同类型：为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。

　　前道光刻机就是我们最常说的光刻机，主要用于晶圆制造，可分为DUV、EUV两大类，目前由荷兰阿斯麦(ASML)占绝对垄断地位，日本的尼康、佳能也有很强的实力。

　　后道光刻机用于芯片制造后的封装，实现高性能的先进封装，技术难度相对较小。

　　面板光刻机用于生产屏幕面板，最先进工艺只能达到55-32nm，属于低端光刻机，但因为屏幕面板相对结构简单，集成度要求不高，对于光刻机分辨率的要求也不高。

　　上海微电子装备(集团)股份有限公司(简称SMEE)成立于2002年，定位为“富有国家使命的公司”，主要致力于半导体装备、泛半导体装备、高端智能装备的开发、设计、制造、销售及技术服务，产品广泛应用于集成电路前道、先进封装、FPD面板、MEMS、LED、电源元件等制造领域。

　　在最先进制程的EUV光刻机方面，我国相比于外国起步晚了50年，即使是最好的上海微电子也与国外巨头存在很大的差距。

　　但在非最先进制程的中高端光刻机方面，上海微电子已经具有自主生产、成熟稳定的产品，有着较高的市场占有率，即将交付的SSA/800-10W光刻机就属于这一系列的最新产品。

　　另外，上海微电子还有2.5D/3D封装光刻机，精度在0.6微米左右，和前道光刻机有差距，但依然属于世界领先水平。

　　其实，芯片制造除了光刻，还有各种平行技术，如纳米压印等，在材料上也可能用其他的代替传统硅片作为基底，只是技术难度和成本付出是巨大的。

　　上海微电子此前就曾公开表示，在泛半导体方面有所研究，有多个技术路线，但是具体细节不能透露。

　　当然了，光刻机只是整个半导体制造产业链中的一环，还涉及到光刻胶、光刻气体、光源、物镜、涂胶显影、光掩膜版等诸多环节，我国也都有多家公司在积极突破，提高国产率。

　　有数据显示，当前我国在清洗、热处理、去胶设备的国产化率分别达到34%、40%、90%，在涂胶显影、刻蚀、真空镀膜的国产化率达到10-30%，在原子层沉积、光刻、量测检测、离子注入的国产化率暂时低于5%

　　值得一提的是，华为也在光刻机技术上积极投入，并取得了不俗成果，比如去年底就披露了名为“反射镜、光刻装置及其控制方法”的专利，涉及到EUV光刻关键技术。

　　根据专利描述，这种反射镜、光刻装置及其控制方法涉及光学领域，能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。

　　反射镜的反射面包括多个微反射面，而多个微反射面中包括第一微反射面，以及与第一微反射面相邻的第二微反射面，两个微反射面之间具有高度差。

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